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  1. IBM的SOI工艺中一般用哪种SOI衬底,埋氧和顶层硅厚度 ...

    IBM的SOI技术已经发展了很多代,不同的工艺节点和应用场景会使用不同类型的SOI衬底。 这里主要介绍IBM在常规SOI(Bulk SOI)和FD-SOI(Fully Depleted SOI)两种工艺下的典型SOI衬底选择以及 …

  2. 如何理解fd soi的全耗尽? - 知乎

    首先 FD SOI 的沟道不需要掺杂,因为未掺杂的足够薄的 silicon 才能做到全耗尽。当然你的观点本身就有问题,电子是Source和 Drain 和Bulk跑到沟道形成耗尽层的,不只是从衬底来的。 其次,为什么无 …

  3. 硅光子设计-什么是端面耦合器?

    图2、端面耦合器结构示意图 SOI端面耦合器结构如图3所示,包括Si taper波导,上包层。为了将波导内部模场尽量放大,需要降低波导与包层的折射率差,采用折射率与硅相近的材料,如polymer、SIN …

  4. FinFET和FD SOI的比较? - 知乎

    FD-SOI还是2D planar结构,但是使用了不同的Wafer(Wafer不再是以前的纯硅Wafer,而是类似三明治的结构,在Wafer上做绝缘层(二氧化硅比硅能提供天然的绝缘屏障)。 FD-SOI和FINFET相比,并 …

  5. 现有SOI的Si波导芯层以及SiN的波导芯层,为什么都是用 ...

    现有SOI的Si波导芯层以及SiN的波导芯层,为什么都是用二氧化硅作为上包层,不能用折射率更低的空气? 在硅基光电子应用中,主流的SOI平台,还有SiN平台,为什么都是用二氧化硅作为上包层,不能用 …

  6. 硅基光子学-SOI光波导方向,研究生怎么快速入门 ...

    硅基光子学-SOI光波导方向,研究生怎么快速入门? 我的毕设题目是《基于布拉格光栅的多模波导反向模式滤波器优化设计》 内容要求:通过波导模式理论设计一种多模硅基波导,并对各模式的色散特性 …

  7. 一文读懂|集成电路制造技术 - 知乎

    SOI技术 和传统MOS最大不同是Well底部有个Oxide隔离着,所以叫做Silicon-on-Insulator (SOI),所以它还是传统的Planar结构。 它的结构分三部分,上面的Silicon是器件部分,中间的Oxide是Insulator隔 …

  8. 海德格尔的“此在”(Dasein)与萨特的“自为的存在 ...

    不太擅长海德格尔,说的不一定对。 “此在”(Dasein)这个词由两个成分构成:一个是sein,sein是德语中ist的不定式变体,而德语中的ist可以理解为英语中的is,因而sein就可以理解为不定式to be,这个 …

  9. 法语中的重读人称代词到底是什么意思,一般有什么 ...

    注意:soi也是重读人称代词,对应的主语人称代词是on “soi” 一般用于以泛指人称代词作主语的句子中,例句: chacun travaille pour soi.每个人都为了自己而工作。 重读人称代词用法: 1.位于介词后 …

  10. 硅光芯片是如何控制开关光的? - 知乎

    SOI高速光开关阵列 SOI高速光开关阵列,该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换,实现了多通道光开关阵列的单片化集成,芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装,热 …